6月20日上午，國家存儲器基地項目二期在武漢東湖高新區(qū)開工。

長江存儲國家存儲器基地項目由紫光集團(tuán)、國家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè)，計劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠，總投資240億美元。

在開工儀式上，紫光集團(tuán)兼長江存儲公司董事長趙偉國介紹，一期主要實現(xiàn)技術(shù)突破，并建成10萬片/月產(chǎn)能；二期規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月，兩期項目達(dá)產(chǎn)后月產(chǎn)能共計30萬片。

此前，項目一期已于2016年底開工建設(shè)，進(jìn)展順利，32層、64層存儲芯片產(chǎn)品已實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)；今年4月成功研制出全球首款128層QLC三維閃存芯片，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。

據(jù)公司官網(wǎng)介紹，作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。

2014年，國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，同年9月國家大基金一期成立；2019年10月，規(guī)模超過2000億的國家大基金二期也正式成立。

據(jù)中國證券報，從投向上看，國家大基金一期偏重于對資金需求度更高的制造環(huán)節(jié)，并且重點投向了國內(nèi)龍頭企業(yè)，例如對中芯國際的承諾投資便達(dá)到了約215億元，長江存儲達(dá)到190億元，華力微電子約116億元。在存儲領(lǐng)域，國家大基金一期重點投資了IDM模式（設(shè)計-制造-封裝測試-銷售為一體）的長江存儲。

關(guān)于大基金二期投資方向時，分析認(rèn)為，制造依然是大基金投資的重點。

上海證券報則在今年3月援引業(yè)內(nèi)人士觀點，雖然前期大基金已經(jīng)投資了中芯國際、華力微電子、長江存儲等，但鑒于集成電路制造的重要性、投資重大，大基金還要持續(xù)給予這些公司以及更多的相關(guān)公司支持。

華芯基金管理公司（國家集成電路二期基金）副總裁任凱今年3月也表示，二期基金積極支持湖北產(chǎn)業(yè)發(fā)展，已推動兩個重大項目在湖北落地，分別是總投資規(guī)模800億元左右的長江存儲，以及總投資規(guī)模120億元的三安光電。